FQD19N10LTF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FQD19N10LTF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 50 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 15.6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
Carga de la puerta (Qg): 14 nC
Tiempo de subida (tr): 410 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 160 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.1 Ohm
Paquete / Cubierta: D-PAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FQD19N10LTF
FQD19N10LTF Datasheet (PDF)
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fqd19n10l.pdf
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fqd19n10tf fqd19n10tm fqd19n10 fqu19n10.pdf
January 2009QFETFQD19N10 / FQU19N10100V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 15.6A, 100V, RDS(on) = 0.1 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 19 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 32 pF)This advanced technology has been especial
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