FQD19N10LTF - аналоги и даташиты транзистора

 

FQD19N10LTF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: FQD19N10LTF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 410 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: D-PAK
 

 Аналог (замена) для FQD19N10LTF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQD19N10LTF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:688K  fairchild semi
 fqd19n10ltf fqd19n10ltm fqd19n10l fqu19n10l.pdf pdf_icon

FQD19N10LTF

January 2009QFETFQD19N10L / FQU19N10L100V LOGIC N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 15.6A, 100V, RDS(on) = 0.1 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 14 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 35 pF)This advanced technology has been

 5.1. Size:884K  cn vbsemi
 fqd19n10l.pdf pdf_icon

FQD19N10LTF

FQD19N10Lwww.VBsemi.twN-Channel 100 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Junction Temperature1000.11 4 at VGS = 10 V15 PWM Optimized 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Primary Side SwitchDTO-252 GSG D S N-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

 6.1. Size:678K  fairchild semi
 fqd19n10tf fqd19n10tm fqd19n10 fqu19n10.pdf pdf_icon

FQD19N10LTF

January 2009QFETFQD19N10 / FQU19N10100V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 15.6A, 100V, RDS(on) = 0.1 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 19 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 32 pF)This advanced technology has been especial

Другие MOSFET... FQD14N15TM , FQD16N15TM , FQD17N08LTF , FQD17N08LTM , FQD17P06TF , FQD17P06TM , FQD18N20V2TF , FQD18N20V2TM , IRF740 , FQD19N10LTM , FQD19N10TF , FQD19N10TM , FQD1N50TF , FQD1N50TM , FQD1N60CTF , FQD1N60CTM , FQD1N60TF .

History: ME7306-G | HY5012W

 

 
Back to Top

 


 
.