FQD1P50TF Todos los transistores

 

FQD1P50TF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQD1P50TF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: D-PAK
 

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FQD1P50TF datasheet

 ..1. Size:691K  fairchild semi
 fqd1p50tf fqd1p50tm.pdf pdf_icon

FQD1P50TF

January 2009 QFET FQD1P50 / FQU1P50 500V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -1.2A, -500V, RDS(on) = 10.5 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 11 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.0 pF) This advanced technology has been especi

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History: AO4832 | TMP4N65AZ

 

 
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