FQD1P50TF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FQD1P50TF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 40 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10.5 Ohm
Encapsulados: D-PAK
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FQD1P50TF datasheet
fqd1p50tf fqd1p50tm.pdf
January 2009 QFET FQD1P50 / FQU1P50 500V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -1.2A, -500V, RDS(on) = 10.5 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 11 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.0 pF) This advanced technology has been especi
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