FQD1P50TF Todos los transistores

 

FQD1P50TF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQD1P50TF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 38 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 500 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 1.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5 V

Carga de compuerta (Qg): 11 nC

Tiempo de elevación (tr): 25 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 40 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 10.5 Ohm

Empaquetado / Estuche: D-PAK

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FQD1P50TF Datasheet (PDF)

1.1. fqd1p50tf fqd1p50tm.pdf Size:691K _fairchild_semi

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January 2009 QFET® FQD1P50 / FQU1P50 500V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect • -1.2A, -500V, RDS(on) = 10.5Ω @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 11 nC) planar stripe, DMOS technology. • Low Crss ( typical 6.0 pF) This advanced technology has been especi

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