FQD24N08TF Todos los transistores

 

FQD24N08TF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQD24N08TF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: D-PAK
 

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FQD24N08TF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:724K  fairchild semi
 fqd24n08tf fqd24n08tm.pdf pdf_icon

FQD24N08TF

January 2009QFETFQD24N08 / FQU24N0880V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 19.6A, 80V, RDS(on) = 0.06 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 19 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 50 pF)This advanced technology has been especiall

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History: HUF75639S3ST | HUF75829D3ST | NCEP055N10 | FQD20N06L | NCEP053N85GU | NCEP050N10M | NCEP050N10MD

 

 
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