FQD2P40TM MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQD2P40TM

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.56 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.5 Ohm

Encapsulados: D-PAK

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FQD2P40TM datasheet

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FQD2P40TM

October 2008 QFET FQD2P40 / FQU2P40 400V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -1.56A, -400V, RDS(on) = 6.5 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 10 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 6.5 pF) This advanced technology is especially t

 7.1. Size:864K  onsemi
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FQD2P40TM

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

Otros transistores... FQD2N50TM, FQD2N60TF, FQD2N60TM, FQD2N80TF, FQD2N80TM, FQD2N90TF, FQD2N90TM, FQD2P40TF, IRLB4132, FQD30N06LTF, FQD30N06LTM, FQD30N06TF, FQD30N06TM, FQD3N30TF, FQD3N30TM, FQD3N40TM, FQD3N50CTF