FQD5P10TF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FQD5P10TF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.05 Ohm
   Paquete / Cubierta: D-PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FQD5P10TF

FQD5P10TF Datasheet (PDF)

..1. Size:705K fairchild semi
fqd5p10tf fqd5p10tm fqd5p10 fqu5p10.pdf

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9.1. Size:657K fairchild semi
fqd5p20tf fqd5p20tm fqd5p20 fqu5p20 fqu5p20tu.pdf

October 2008QFETFQD5P20 / FQU5P20200V P-Channel MOSFETFeaturesGeneral Description -3.7A, -200V, RDS(on) = 1.4 @VGS = -10 VThese P-Channel enhancement mode power field effect Low gate charge ( typical 10 nC)transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low Crss ( typical 12 pF)planar stripe, DMOS technology. Fast switchingThis advanced techn

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Liste

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