IRF2907ZS-7PPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRF2907ZS-7PPBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 170 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 970 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263CA-7

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF2907ZS-7PPBF

IRF2907ZS-7PPBF Datasheet (PDF)

0.1. Size:295K international rectifier
irf2907zs-7ppbf.pdf

PD - 97031DIRF2907ZS-7PPbFFeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceDl 175C Operating Temperature VDSS = 75Vl Fast Switchingl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 3.8mGDescriptionSID = 160AThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestS (Pin 2, 3, 5, 6, 7)processing techniques and advanced packaging G (

2.1. Size:293K international rectifier
auirf2907zs-7p.pdf

PD - 96321AUTOMOTIVE GRADEAUIRF2907ZS-7PHEXFET Power MOSFETFeaturesDV(BR)DSS75Vl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceRDS(on) typ.3.0ml 175C Operating TemperatureGl Fast Switchingmax. 3.8mSl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxS (Pin 2, 3, 5, 6, 7)ID (Silicon Limited)180A l Lead-Free, RoHS CompliantG (Pin 1)l Automot

5.1. Size:420K international rectifier
irf2907zlpbf irf2907zpbf irf2907zspbf.pdf

PD - 95489DIRF2907ZPbFIRF2907ZSPbFIRF2907ZLPbFFeaturesHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceDVDSS = 75Vl 175C Operating Temperaturel Fast Switchingl Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxRDS(on) = 4.5mGl Lead-FreeID = 160ASDescriptionThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achie

5.2. Size:293K international rectifier
auirf2907zs7ptl.pdf

5.3. Size:420K infineon
irf2907zpbf irf2907zspbf irf2907zlpbf.pdf

5.4. Size:258K inchange semiconductor
irf2907zs.pdf

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF2907ZSFEATURESWith To-263(D2PAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vol

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: HFS830

Liste

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