IRFY044C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFY044C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 130(max) nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
Paquete / Cubierta: TO257AA
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFY044C
IRFY044C Datasheet (PDF)
irfy044c.pdf
PD - 91285DIRFY044C,IRFY044CMPOWER MOSFET60V, N-CHANNELHEXFET MOSFET TECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-257AA)Product SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY044C 0.040 16*A CeramicIRFY044CM 0.040 16*A CeramicHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves ver
irfy044cm.pdf
PD - 91285DIRFY044C,IRFY044CMPOWER MOSFET60V, N-CHANNELHEXFET MOSFET TECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-257AA)Product SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY044C 0.040 16*A CeramicIRFY044CM 0.040 16*A CeramicHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves ver
irfy044m.pdf
PD - 94181IRFY044,IRFY044MPOWER MOSFET60V, N-CHANNELHEXFET MOSFET TECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-257AA)Product SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY044 0.040 16*A GlassIRFY044M 0.040 16*A GlassHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves very low on-
irfy044.pdf
PD - 94181IRFY044,IRFY044MPOWER MOSFET60V, N-CHANNELHEXFET MOSFET TECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-257AA)Product SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY044 0.040 16*A GlassIRFY044M 0.040 16*A GlassHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves very low on-
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Liste
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