IRFY044C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFY044C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 100 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 16 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 88(max) nC
Tiempo de subida (tr): 130(max) nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1100 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.04 Ohm
Paquete / Cubierta: TO257AA
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFY044C
IRFY044C Datasheet (PDF)
irfy044c.pdf
PD - 91285DIRFY044C,IRFY044CMPOWER MOSFET60V, N-CHANNELHEXFET MOSFET TECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-257AA)Product SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY044C 0.040 16*A CeramicIRFY044CM 0.040 16*A CeramicHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves ver
irfy044cm.pdf
PD - 91285DIRFY044C,IRFY044CMPOWER MOSFET60V, N-CHANNELHEXFET MOSFET TECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-257AA)Product SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY044C 0.040 16*A CeramicIRFY044CM 0.040 16*A CeramicHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves ver
irfy044m.pdf
PD - 94181IRFY044,IRFY044MPOWER MOSFET60V, N-CHANNELHEXFET MOSFET TECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-257AA)Product SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY044 0.040 16*A GlassIRFY044M 0.040 16*A GlassHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves very low on-
irfy044.pdf
PD - 94181IRFY044,IRFY044MPOWER MOSFET60V, N-CHANNELHEXFET MOSFET TECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-257AA)Product SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY044 0.040 16*A GlassIRFY044M 0.040 16*A GlassHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves very low on-
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
