IRFY044C. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRFY044C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 130 max ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
Тип корпуса: TO257AA
Аналог (замена) для IRFY044C
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRFY044C даташит
irfy044c.pdf
PD - 91285D IRFY044C,IRFY044CM POWER MOSFET 60V, N-CHANNEL HEXFET MOSFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (TO-257AA) Product Summary Part Number RDS(on) ID Eyelets IRFY044C 0.040 16*A Ceramic IRFY044CM 0.040 16*A Ceramic HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The TO-257AA efficient geometry design achieves ver
irfy044cm.pdf
PD - 91285D IRFY044C,IRFY044CM POWER MOSFET 60V, N-CHANNEL HEXFET MOSFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (TO-257AA) Product Summary Part Number RDS(on) ID Eyelets IRFY044C 0.040 16*A Ceramic IRFY044CM 0.040 16*A Ceramic HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The TO-257AA efficient geometry design achieves ver
irfy044m.pdf
PD - 94181 IRFY044,IRFY044M POWER MOSFET 60V, N-CHANNEL HEXFET MOSFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (TO-257AA) Product Summary Part Number RDS(on) ID Eyelets IRFY044 0.040 16*A Glass IRFY044M 0.040 16*A Glass HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The TO-257AA efficient geometry design achieves very low on-
irfy044.pdf
PD - 94181 IRFY044,IRFY044M POWER MOSFET 60V, N-CHANNEL HEXFET MOSFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (TO-257AA) Product Summary Part Number RDS(on) ID Eyelets IRFY044 0.040 16*A Glass IRFY044M 0.040 16*A Glass HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The TO-257AA efficient geometry design achieves very low on-
Другие MOSFET... IRFW820A , IRFW830A , IRFW840A , IRFWZ14A , IRFWZ24A , IRFWZ34A , IRFWZ44A , IRFY044 , 12N60 , IRFY120 , IRFY120C , IRFY130 , IRFY130C , IRFY140 , IRFY140C , IRFY240 , IRFY240C .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASA60R150E | ASA60R090EFDA | ASA60R090EFD | ASA50R130E | ADW120N080G2 | ADQ120N080G2 | ADG120N080G2 | AS6004 | 2N7002EY | AS2310A | 2N7002KM | 2N7002KH | AON5802 | AOSS62934 | AOSN21319C | AONS66966
Popular searches
2sc1364 | 2sc2320 | d669a transistor | 2sc1419 | 2sc1124 | 2n408 | 2sc2690 | d718 datasheet




