FQE10N20CTU Todos los transistores

 

FQE10N20CTU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQE10N20CTU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 12.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 92 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 97 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-126
 

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FQE10N20CTU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:628K  fairchild semi
 fqe10n20ctu.pdf pdf_icon

FQE10N20CTU

QFETFQE10N20C200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 4.0A, 200V, RDS(on) = 0.36 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 20 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 40.5 pF)This advanced technology has been especially tailored to

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History: RFW2N06RLE | NP32N055IHE

 

 
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