Справочник MOSFET. FQE10N20CTU

 

FQE10N20CTU Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQE10N20CTU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 12.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 92 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 97 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
   Тип корпуса: TO-126
 

 Аналог (замена) для FQE10N20CTU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQE10N20CTU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:628K  fairchild semi
 fqe10n20ctu.pdf pdf_icon

FQE10N20CTU

QFETFQE10N20C200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 4.0A, 200V, RDS(on) = 0.36 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 20 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 40.5 pF)This advanced technology has been especially tailored to

Другие MOSFET... FQD7P06TM , FQD7P20TF , FQD7P20TM , FQD8N25TF , FQD8P10TF , FQD8P10TM , FQD9N25TF , FQD9N25TM , AO4468 , FQH140N10 , FQH18N50V2 , FQH44N10F133 , FQH70N10 , FQH90N15 , FQI10N20CTU , FQI10N60CTU , FQI11N40TU .

History: CJAB35P03 | STU330S | CEB20A03 | PMV213SN | PMT29EN | STP10N62K3

 

 
Back to Top

 


 
.