FQE10N20CTU. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQE10N20CTU

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 12.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 92 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 97 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm

Тип корпуса: TO-126

Аналог (замена) для FQE10N20CTU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQE10N20CTU даташит

 ..1. Size:628K  fairchild semi
 fqe10n20ctu.pdf pdf_icon

FQE10N20CTU

QFET FQE10N20C 200V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 4.0A, 200V, RDS(on) = 0.36 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 20 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 40.5 pF) This advanced technology has been especially tailored to

Другие IGBT... FQD7P06TM, FQD7P20TF, FQD7P20TM, FQD8N25TF, FQD8P10TF, FQD8P10TM, FQD9N25TF, FQD9N25TM, 60N06, FQH140N10, FQH18N50V2, FQH44N10F133, FQH70N10, FQH90N15, FQI10N20CTU, FQI10N60CTU, FQI11N40TU