FQI10N20CTU MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQI10N20CTU

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 72 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 92 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 97 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm

Encapsulados: I2-PAK

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FQI10N20CTU datasheet

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FQI10N20CTU

TM QFET FQB10N20C/FQI10N20C 200V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 9.5A, 200V, RDS(on) = 0.36 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 20 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 40.5 pF) This advanced technology has been especially tailore

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FQI10N20CTU

TM QFET FQB10N60C / FQI10N60C 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 9.5A, 600V, RDS(on) = 0.73 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 44 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 18 pF) This advanced technology has been especially tailore

Otros transistores... FQD9N25TF, FQD9N25TM, FQE10N20CTU, FQH140N10, FQH18N50V2, FQH44N10F133, FQH70N10, FQH90N15, IRF740, FQI10N60CTU, FQI11N40TU, FQI11P06TU, FQI12N50TU, FQI12N60CTU, FQI12N60TU, FQI13N06LTU, FQI13N06TU