FQI3P50TU MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQI3P50TU

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.9 Ohm

Encapsulados: I2-PAK

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FQI3P50TU datasheet

 ..1. Size:645K  fairchild semi
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FQI3P50TU

August 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQB3P50 / FQI3P50 500V P-Channel MOSFET General Description These P-Channel enhancement mode power field effect Features transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar stripe, DMOS technology. -2.7A, -500V, RDS(on) = 4.9 @VGS = -10 V This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge ( typical 1

 9.1. Size:558K  fairchild semi
 fqb3p20tm fqi3p20tu.pdf pdf_icon

FQI3P50TU

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQB3P20 / FQI3P20 200V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -2.8A, -200V, RDS(on) = 2.7 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 6.0 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.5 pF) This advanced technolo

Otros transistores... FQI2NA90TU, FQI2P25TU, FQI34P10TU, FQI3N25TU, FQI3N30TU, FQI3N40TU, FQI3N90TU, FQI3P20TU, 2N7002, FQI47P06TU, FQI4N20TU, FQI4N25TU, FQI4N90TU, FQI4P40TU, FQI50N06LTU, FQI50N06TU, FQI5N15TU