FQI3P50TU Todos los transistores

 

FQI3P50TU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQI3P50TU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 85 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: I2-PAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

FQI3P50TU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:645K  fairchild semi
 fqb3p50tm fqb3p50 fqi3p50 fqi3p50tu.pdf pdf_icon

FQI3P50TU

August 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB3P50 / FQI3P50500V P-Channel MOSFETGeneral DescriptionThese P-Channel enhancement mode power field effectFeaturestransistors are produced using Fairchilds proprietary,planar stripe, DMOS technology. -2.7A, -500V, RDS(on) = 4.9 @VGS = -10 VThis advanced technology has been especially tailored to Low gate charge ( typical 1

 9.1. Size:558K  fairchild semi
 fqb3p20tm fqi3p20tu.pdf pdf_icon

FQI3P50TU

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQB3P20 / FQI3P20200V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -2.8A, -200V, RDS(on) = 2.7 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.0 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.5 pF)This advanced technolo

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FK30SM-5 | SIHF10N40D | SI2202 | SL4813A | P3506DD

 

 
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