FQI3P50TU. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQI3P50TU

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 85 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 56 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.9 Ohm

Тип корпуса: I2-PAK

Аналог (замена) для FQI3P50TU

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQI3P50TU даташит

 ..1. Size:645K  fairchild semi
 fqb3p50tm fqb3p50 fqi3p50 fqi3p50tu.pdf pdf_icon

FQI3P50TU

August 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQB3P50 / FQI3P50 500V P-Channel MOSFET General Description These P-Channel enhancement mode power field effect Features transistors are produced using Fairchild s proprietary, planar stripe, DMOS technology. -2.7A, -500V, RDS(on) = 4.9 @VGS = -10 V This advanced technology has been especially tailored to Low gate charge ( typical 1

 9.1. Size:558K  fairchild semi
 fqb3p20tm fqi3p20tu.pdf pdf_icon

FQI3P50TU

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQB3P20 / FQI3P20 200V P-Channel MOSFET General Description Features These P-Channel enhancement mode power field effect -2.8A, -200V, RDS(on) = 2.7 @VGS = -10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 6.0 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.5 pF) This advanced technolo

Другие IGBT... FQI2NA90TU, FQI2P25TU, FQI34P10TU, FQI3N25TU, FQI3N30TU, FQI3N40TU, FQI3N90TU, FQI3P20TU, 2N7002, FQI47P06TU, FQI4N20TU, FQI4N25TU, FQI4N90TU, FQI4P40TU, FQI50N06LTU, FQI50N06TU, FQI5N15TU