FQI8N60CTU Todos los transistores

 

FQI8N60CTU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQI8N60CTU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: I2-PAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

FQI8N60CTU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:965K  fairchild semi
 fqb8n60c fqi8n60c fqi8n60ctu.pdf pdf_icon

FQI8N60CTU

October 2008QFETFQB8N60C / FQI8N60C600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 7.5A, 600V, RDS(on) = 1.2 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 28 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 12 pF)This advanced technology has been especiall

 6.1. Size:754K  onsemi
 fqb8n60c fqi8n60c.pdf pdf_icon

FQI8N60CTU

FQB8N60C / FQI8N60CN-Channel QFET MOSFET600 V, 7.5 A, 1.2 Features 7.5 A, 600 V, RDS(on) = 1.2 (Max.) @ VGS = 10 V,ID = 3.75 ADescription Low Gate Charge (Typ. 28 nC)This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using ON Semiconductors proprietary planar Low Crss (Typ. 12 pF)stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CEM9936A | BSP322P | LSH65R1K5HT

 

 
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