IRFY430 Todos los transistores

 

IRFY430 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFY430
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 29.5(max) nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 30(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO257AA
 

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IRFY430 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:168K  international rectifier
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IRFY430

PD - 94191IRFY430,IRFY430MPOWER MOSFET500V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY430 1.5 4.5A GlassIRFY430M 1.5 4.5A GlassHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves very low on-stat

 0.1. Size:169K  international rectifier
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IRFY430

PD - 91291CIRFY430C,IRFY430CMPOWER MOSFET500V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY430C 1.5 4.5A CeramicIRFY430CM 1.5 4.5A CeramicHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves very lo

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IRFY430

PD - 91291CIRFY430C,IRFY430CMPOWER MOSFET500V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY430C 1.5 4.5A CeramicIRFY430CM 1.5 4.5A CeramicHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves very lo

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IRFY430

N-CHANNEL POWER MOSFET IRFY430 / IRFY430M BVDSS = 500V, MOSFET Transistor In A Hermetic Metal TO-257AB Package Designed For Switching, Power Supply, Motor Control and Amplifier Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage 500V VGS Gate Source Voltage 20V ID Tc = 25C

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History: BS170L34Z | STP4NA80 | BRD18P06 | KDD2572 | IXFN170N10

 

 
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