FQNL1N50BTA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FQNL1N50BTA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.27 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 9 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-92L
Búsqueda de reemplazo de FQNL1N50BTA MOSFET
FQNL1N50BTA Datasheet (PDF)
fqnl1n50bbu fqnl1n50bta.pdf
March 2001TMQFETFQNL1N50B500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 0.27A, 500V, RDS(on) = 9.0 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 4.0 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.0 pF)This advanced technology has been especially tailo
fqnl1n50b.pdf
March 2001TMQFETFQNL1N50B500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 0.27A, 500V, RDS(on) = 9.0 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 4.0 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.0 pF)This advanced technology has been especially tailo
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History: HY19P03B | ME70N03S-G | SSF3055 | DH400P06F | IXFT86N30T | IRFS723 | IPB180N08S4-02
History: HY19P03B | ME70N03S-G | SSF3055 | DH400P06F | IXFT86N30T | IRFS723 | IPB180N08S4-02
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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