Справочник MOSFET. FQNL1N50BTA

 

FQNL1N50BTA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQNL1N50BTA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.27 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 9 Ohm
   Тип корпуса: TO-92L
 

 Аналог (замена) для FQNL1N50BTA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQNL1N50BTA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:618K  fairchild semi
 fqnl1n50bbu fqnl1n50bta.pdf pdf_icon

FQNL1N50BTA

March 2001TMQFETFQNL1N50B500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 0.27A, 500V, RDS(on) = 9.0 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 4.0 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.0 pF)This advanced technology has been especially tailo

 5.1. Size:620K  fairchild semi
 fqnl1n50b.pdf pdf_icon

FQNL1N50BTA

March 2001TMQFETFQNL1N50B500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 0.27A, 500V, RDS(on) = 9.0 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 4.0 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.0 pF)This advanced technology has been especially tailo

Другие MOSFET... FQI9N50CTU , FQI9N50TU , FQL50N40 , FQN1N50CBU , FQN1N50CTA , FQN1N60CBU , FQN1N60CTA , FQNL1N50BBU , IRFB31N20D , FQNL2N50BBU , FQNL2N50BTA , FQP10N20 , FQP10N20CTSTU , FQP10N60 , FQP10N60CF , FQP11N40 , FQP11N50CF .

History: QM01N65D | P6403FMG | ZXM62N03G | CEP6086 | DL2M50N5 | AO3481 | IXTK17N120L

 

 
Back to Top

 


 
.