FQP1N60 Todos los transistores

 

FQP1N60 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQP1N60
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 11.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de FQP1N60 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FQP1N60 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:520K  fairchild semi
 fqp1n60.pdf pdf_icon

FQP1N60

QFET N-CHANNEL FQP1N60FEATURESBVDSS = 600V Advanced New DesignRDS(ON) = 11.5 Avalanche Rugged TechnologyID = 1.2A Rugged Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching CharacteristicsTO-220 Unrivalled Gate Charge: 5.0nC (Typ.) Extended Safe Operating Area1 Lower RDS(ON): 9.3 (Typ.) 231. Gate 2. Drain 3. Sou

 9.1. Size:725K  fairchild semi
 fqp1n50.pdf pdf_icon

FQP1N60

April 2000TMQFETQFETQFETQFET 500V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 1.4A, 500V, RDS(on) = 9.0 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 4.0 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.0 pF)This advanced technology has been

Otros transistores... FQP17N08L , FQP18N20V2 , FQP18N50V2 , FQP19N10 , FQP19N10L , FQP19N20CTSTU , FQP19N20L , FQP1N50 , RU7088R , FQP1P50 , FQP20N06TSTU , FQP22P10 , FQP27P06SW82127 , FQP2N30 , FQP2N50 , FQP2N60 , FQP2NA90 .

History: UTT30P06 | SPI21N50C3

 

 
Back to Top

 


 
.