FQP1N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQP1N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 11.5 Ohm

Encapsulados: TO-220

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FQP1N60 datasheet

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FQP1N60

QFET N-CHANNEL FQP1N60 FEATURES BVDSS = 600V Advanced New Design RDS(ON) = 11.5 Avalanche Rugged Technology ID = 1.2A Rugged Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics TO-220 Unrivalled Gate Charge 5.0nC (Typ.) Extended Safe Operating Area 1 Lower RDS(ON) 9.3 (Typ.) 2 3 1. Gate 2. Drain 3. Sou

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FQP1N60

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET 500V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 1.4A, 500V, RDS(on) = 9.0 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 4.0 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.0 pF) This advanced technology has been

Otros transistores... FQP17N08L, FQP18N20V2, FQP18N50V2, FQP19N10, FQP19N10L, FQP19N20CTSTU, FQP19N20L, FQP1N50, RU7088R, FQP1P50, FQP20N06TSTU, FQP22P10, FQP27P06SW82127, FQP2N30, FQP2N50, FQP2N60, FQP2NA90