FQP1N60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FQP1N60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 11.5 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для FQP1N60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQP1N60 даташит

 ..1. Size:520K  fairchild semi
 fqp1n60.pdf pdf_icon

FQP1N60

QFET N-CHANNEL FQP1N60 FEATURES BVDSS = 600V Advanced New Design RDS(ON) = 11.5 Avalanche Rugged Technology ID = 1.2A Rugged Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching Characteristics TO-220 Unrivalled Gate Charge 5.0nC (Typ.) Extended Safe Operating Area 1 Lower RDS(ON) 9.3 (Typ.) 2 3 1. Gate 2. Drain 3. Sou

 9.1. Size:725K  fairchild semi
 fqp1n50.pdf pdf_icon

FQP1N60

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET 500V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 1.4A, 500V, RDS(on) = 9.0 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 4.0 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.0 pF) This advanced technology has been

Другие IGBT... FQP17N08L, FQP18N20V2, FQP18N50V2, FQP19N10, FQP19N10L, FQP19N20CTSTU, FQP19N20L, FQP1N50, RU7088R, FQP1P50, FQP20N06TSTU, FQP22P10, FQP27P06SW82127, FQP2N30, FQP2N50, FQP2N60, FQP2NA90