FQP1N60 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: FQP1N60
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 11.5 Ohm
Тип корпуса: TO-220
FQP1N60 Datasheet (PDF)
fqp1n60.pdf

QFET N-CHANNEL FQP1N60FEATURESBVDSS = 600V Advanced New DesignRDS(ON) = 11.5 Avalanche Rugged TechnologyID = 1.2A Rugged Gate Oxide Technology Very Low Intrinsic Capacitances Excellent Switching CharacteristicsTO-220 Unrivalled Gate Charge: 5.0nC (Typ.) Extended Safe Operating Area1 Lower RDS(ON): 9.3 (Typ.) 231. Gate 2. Drain 3. Sou
fqp1n50.pdf

April 2000TMQFETQFETQFETQFET 500V N-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 1.4A, 500V, RDS(on) = 9.0 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 4.0 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 3.0 pF)This advanced technology has been
Другие MOSFET... FQP17N08L , FQP18N20V2 , FQP18N50V2 , FQP19N10 , FQP19N10L , FQP19N20CTSTU , FQP19N20L , FQP1N50 , MMD60R360PRH , FQP1P50 , FQP20N06TSTU , FQP22P10 , FQP27P06SW82127 , FQP2N30 , FQP2N50 , FQP2N60 , FQP2NA90 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0611PP | JMSL0611PGD | JMSL0611PG | JMSL0610AGDQ | JMSL0610AGD | JMSL060SPGQ | JMSL0609PPD | JMSL0609AUQ | JMSL0609AU | JMSL0609APD | JMSL0609AP | JMSL0609AKQ | JMSL0609AK | JMSL0609AGWQ | JMSL0609AGQ | JMSL0609AG
Popular searches
cs30n20 datasheet | go42n10 | 2sa970 datasheet | 2sc1627 | aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet