FQP55N06 Todos los transistores

 

FQP55N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQP55N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 133 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 490 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

 Búsqueda de reemplazo de FQP55N06 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FQP55N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:658K  fairchild semi
 fqp55n06.pdf pdf_icon

FQP55N06

May 2001TMQFETFQP55N0660V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 55A, 60V, RDS(on) = 0.020 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 35 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 85 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 8.1. Size:666K  fairchild semi
 fqp55n10.pdf pdf_icon

FQP55N06

August 2000TMQFETQFETQFETQFETFQP55N10100V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 55A, 100V, RDS(on) = 0.026 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 75 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 130 pF)This advanced technology has been

Otros transistores... FQP44N08 , FQP44N10F , FQP4N20 , FQP4N25 , FQP4N50 , FQP4N60 , FQP4N90 , FQP4P25 , P55NF06 , FQP58N08 , FQP5N20 , FQP5N20L , FQP5N30 , FQP5N40 , FQP5N50C , FQP5N80 , FQP5N90 .

History: 12N80G-TF3-T | MSK4D5N60T | APM6055NU | 10N65KG-TF2-T | BRCS50N06BD | 17P10G-TN3-R | 1N65G-TMA-T

 

 
Back to Top

 


 
.