IRFY9140 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFY9140 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
Qgⓘ - Carga de la puerta: 30 max nC
trⓘ - Tiempo de subida: 85 max nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
Encapsulados: TO257AA
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IRFY9140 datasheet
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PD - 94197A IRFY9140,IRFY9140M IRFY9140,IRFY9140M IRFY9140,IRFY9140M IRFY9140,IRFY9140M IRFY9140,IRFY9140M POWER MOSFET 100V, P-CHANNEL POWER MOSFET 100V, P-CHANNEL POWER MOSFET 100V, P-CHANNEL POWER MOSFET 100V, P-CHANNEL POWER MOSFET 100V, P-CHANNEL THRU-HOLE (TO-257AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (TO-257AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY THRU-HOLE (TO-257AA) HEXFET MOSFET T
irfy9140m.pdf
PD - 94197C IRFY9140, IRFY9140M POWER MOSFET 100V, P-CHANNEL THRU-HOLE (TO-257AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID Eyelets IRFY9140 0.20 -15.8A Glass IRFY9140M 0.20 -15.8A Glass HEXFET MOSFET technology is the key to International TO-257AA Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very
irfy9140cm.pdf
PD - 91294D IRFY9140C, IRFY9140CM POWER MOSFET 100V, P-CHANNEL THRU-HOLE (TO-257AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID Eyelets IRFY9140C 0.20 -15.8A Ceramic IRFY9140CM 0.20 -15.8A Ceramic HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The TO-257AA efficient geometry design achiev
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PD - 91294B IRFY9140C,IRFY9140CM POWER MOSFET 100V, P-CHANNEL THRU-HOLE (TO-257AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID Eyelets IRFY9140C 0.20 -15.8A Ceramic IRFY9140CM 0.20 -15.8A Ceramic HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The TO-257AA efficient geometry design achieve
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