IRF610SPBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF610SPBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 53 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: TO-263

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IRF610SPBF datasheet

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IRF610SPBF

IRF610S, SiHF610S Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) 200 Surface Mount RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.5 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 8.2 Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated Qgs (nC) 1.8 Fast Switching Qgd (nC) 4.5 Ease of Paralleling Simple Drive R

 7.1. Size:178K  international rectifier
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IRF610SPBF

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IRF610SPBF

IRF610S, SiHF610S, IRF610L, SiHF610L www.vishay.com Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Surface mount VDS (V) 200 Available in tape and reel RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.5 Dynamic dV/dt rating Available Qg (Max.) (nC) 8.2 Repetitive avalanche rated Qgs (nC) 1.8 Fast switching Available Qgd (nC) 4.5 Ease of paralleling Configuration Sing

Otros transistores... IRF5Y6215CM, IRF5Y9540CM, IRF5YZ48CM, IRF6100, IRF6100PBF, IRF610L, IRF610LPBF, IRF610PBF, IRF540, IRF614PBF, IRF614SPBF, IRF6201PBF, IRF620B, IRF620PBF, IRF620SPBF, IRF6215LPBF, IRF6215PBF