IRF610SPBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRF610SPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 53 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для IRF610SPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF610SPBF даташит

 ..1. Size:199K  international rectifier
irf610spbf.pdfpdf_icon

IRF610SPBF

IRF610S, SiHF610S Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) 200 Surface Mount RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.5 Available in Tape and Reel Qg (Max.) (nC) 8.2 Dynamic dV/dt Rating Repetitive Avalanche Rated Qgs (nC) 1.8 Fast Switching Qgd (nC) 4.5 Ease of Paralleling Simple Drive R

 7.1. Size:178K  international rectifier
irf610s.pdfpdf_icon

IRF610SPBF

 7.2. Size:175K  vishay
irf610s sihf610s irf610l sihf610l.pdfpdf_icon

IRF610SPBF

IRF610S, SiHF610S, IRF610L, SiHF610L www.vishay.com Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Surface mount VDS (V) 200 Available in tape and reel RDS(on) ( )VGS = 10 V 1.5 Dynamic dV/dt rating Available Qg (Max.) (nC) 8.2 Repetitive avalanche rated Qgs (nC) 1.8 Fast switching Available Qgd (nC) 4.5 Ease of paralleling Configuration Sing

Другие IGBT... IRF5Y6215CM, IRF5Y9540CM, IRF5YZ48CM, IRF6100, IRF6100PBF, IRF610L, IRF610LPBF, IRF610PBF, IRF540, IRF614PBF, IRF614SPBF, IRF6201PBF, IRF620B, IRF620PBF, IRF620SPBF, IRF6215LPBF, IRF6215PBF