IRF6215SPBF Todos los transistores

 

IRF6215SPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF6215SPBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 13 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 36 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 220 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.29 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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IRF6215SPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:992K  international rectifier
 irf6215spbf irf6215lpbf.pdf pdf_icon

IRF6215SPBF

PD - 95132IRF6215S/LPbF Lead-Freewww.irf.com 14/21/05IRF6215S/LPbF2 www.irf.comIRF6215S/LPbFwww.irf.com 3IRF6215S/LPbF4 www.irf.comIRF6215S/LPbFwww.irf.com 5IRF6215S/LPbF6 www.irf.comIRF6215S/LPbFwww.irf.com 7IRF6215S/LPbFD2Pak Package OutlineD2Pak Part Marking InformationTHIS IS AN IRF530S WIT HPART NUMBERLOT CODE 8024INTERNAT IONALAS S

 ..2. Size:992K  international rectifier
 irf6215lpbf irf6215spbf.pdf pdf_icon

IRF6215SPBF

PD - 95132IRF6215S/LPbF Lead-Freewww.irf.com 14/21/05IRF6215S/LPbF2 www.irf.comIRF6215S/LPbFwww.irf.com 3IRF6215S/LPbF4 www.irf.comIRF6215S/LPbFwww.irf.com 5IRF6215S/LPbF6 www.irf.comIRF6215S/LPbFwww.irf.com 7IRF6215S/LPbFD2Pak Package OutlineD2Pak Part Marking InformationTHIS IS AN IRF530S WIT HPART NUMBERLOT CODE 8024INTERNAT IONALAS S

 6.1. Size:182K  international rectifier
 irf6215s.pdf pdf_icon

IRF6215SPBF

PD - 91643IRF6215S/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyD Surface Mount (IRF6215S)VDSS = -150V Low-profile through-hole (IRF6215L) 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.29 Fast SwitchingG P-ChannelID = -13A Fully Avalanche RatedSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieve

 6.2. Size:820K  international rectifier
 auirf6215s.pdf pdf_icon

IRF6215SPBF

AUTOMOTIVE GRADEAUIRF6215SFeatures HEXFET Power MOSFETl Advanced Planar Technologyl Low On-Resistance DVDSS -150Vl P-Channell Dynamic dV/dT RatingG RDS(on) max. 0.29l 175C Operating TemperatureSID -13Al Fast Switchingl Fully Avalanche Ratedl Repetitive Avalanche Allowed up toTjmaxl Lead-Free, RoHS Compliant Dl Automotive Qualified *DescriptionSSpec

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History: FTD2019 | UT3009 | 2N7002C1A | NCE0157D

 

 
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