FQP70N08 Todos los transistores

 

FQP70N08 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQP70N08

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 155 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 80 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 25 V

Corriente continua de drenaje (Id): 70 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 75 nC

Tiempo de elevación (tr): 300 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 790 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.017 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-220

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FQP70N08 Datasheet (PDF)

1.1. fqp70n08.pdf Size:665K _fairchild_semi

FQP70N08
FQP70N08

August 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQP70N08 80V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect • 70A, 80V, RDS(on) = 0.017Ω @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 75 nC) planar stripe, DMOS technology. • Low Crss ( typical 180 pF) This advanced technology has been e

4.1. fqp70n10.pdf Size:636K _fairchild_semi

FQP70N08
FQP70N08

August 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQP70N10 100V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 57A, 100V, RDS(on) = 0.023? @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 85 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 150 pF) This advanced technology has been especially t

 

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