FQPF5N50 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

FQPF5N50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQPF5N50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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FQPF5N50 datasheet

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April 2000 TM QFET QFET QFET QFET 500V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 3.0A, 500V, RDS(on) = 1.8 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 13 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 8.5 pF) This advanced technology has been

0.1. Size:879K fairchild semi
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TM FRFET FQPF5N50CF 500V N-Channel MOSFET Features Description 5A, 500V, RDS(on) = 1.55 @VGS = 10 V These N-Channel enhancement mode power field effect transis- tors are produced using Fairchild s proprietary, planar stripe, Low gate charge ( typical 18nC) DMOS technology. Low Crss ( typical 15pF) This advanced technology has been especially tailored to mini- F

0.3. Size:979K onsemi
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