FQPF7N65CF105 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

FQPF7N65CF105 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQPF7N65CF105

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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FQPF7N65CF105 datasheet

5.1. Size:886K fairchild semi
fqp7n65c fqpf7n65c.pdf pdf_icon

QFET FQP7N65C/FQPF7N65C 650V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 7A, 650V, RDS(on) = 1.4 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 28 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 12 pF) This advanced technology has been especially tailored to

5.2. Size:885K fairchild semi
fqp7n65c fqpf7n65cydtu fqpf7n65c f105.pdf pdf_icon

7.1. Size:604K fairchild semi
fqpf7n60.pdf pdf_icon

April 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQPF7N60 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 4.3A, 600V, RDS(on) = 1.0 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 29 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 16 pF) This advanced technology has been es

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