Справочник MOSFET. FQPF7N65CF105

 

FQPF7N65CF105 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FQPF7N65CF105
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 52 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 28 nC
   Время нарастания (tr): 50 ns
   Выходная емкость (Cd): 100 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для FQPF7N65CF105

 

 

FQPF7N65CF105 Datasheet (PDF)

 5.1. Size:886K  fairchild semi
fqp7n65c fqpf7n65c.pdf

FQPF7N65CF105 FQPF7N65CF105

QFETFQP7N65C/FQPF7N65C650V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 7A, 650V, RDS(on) = 1.4 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 28 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 12 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 5.2. Size:885K  fairchild semi
fqp7n65c fqpf7n65cydtu fqpf7n65c f105.pdf

FQPF7N65CF105 FQPF7N65CF105

QFETFQP7N65C/FQPF7N65C650V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 7A, 650V, RDS(on) = 1.4 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 28 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 12 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 7.1. Size:604K  fairchild semi
fqpf7n60.pdf

FQPF7N65CF105 FQPF7N65CF105

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQPF7N60600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 4.3A, 600V, RDS(on) = 1.0 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 29 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 16 pF)This advanced technology has been es

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top