Справочник MOSFET. FQPF7N65CF105

 

FQPF7N65CF105 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FQPF7N65CF105
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для FQPF7N65CF105

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FQPF7N65CF105 Datasheet (PDF)

 5.1. Size:886K  fairchild semi
 fqp7n65c fqpf7n65c.pdf pdf_icon

FQPF7N65CF105

QFETFQP7N65C/FQPF7N65C650V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 7A, 650V, RDS(on) = 1.4 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 28 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 12 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 5.2. Size:885K  fairchild semi
 fqp7n65c fqpf7n65cydtu fqpf7n65c f105.pdf pdf_icon

FQPF7N65CF105

QFETFQP7N65C/FQPF7N65C650V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 7A, 650V, RDS(on) = 1.4 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 28 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 12 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 7.1. Size:604K  fairchild semi
 fqpf7n60.pdf pdf_icon

FQPF7N65CF105

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQPF7N60600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 4.3A, 600V, RDS(on) = 1.0 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 29 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 16 pF)This advanced technology has been es

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQPF6N90 , FQPF6N90CT , FQPF6P25 , FQPF7N10 , FQPF7N10L , FQPF7N20 , FQPF7N20L , FQPF7N40 , IRFB3607 , FQPF7N65CYDTU , FQPF7N80 , FQPF7P06 , FQPF8N60CT , FQPF8N60CYDTU , FQPF8N80CYDTU , FQPF8P10 , FQPF90N10V2 .

History: IMW120R045M1 | TTD30P03AT | STR2P3LLH6 | IRFD020PBF | JMSH1565AGS | NCEP016N60VD | IAUS180N04S4N015

 

 
Back to Top

 


 
.