FQT3P20TF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FQT3P20TF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.67 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FQT3P20TF

FQT3P20TF Datasheet (PDF)

..1. Size:649K fairchild semi
fqt3p20tf.pdf

May 2001TMQFETFQT3P20200V P-Channel MOSFETGeneral DescriptionThese P-Channel enhancement mode power field effectFeaturestransistors are produced using Fairchilds proprietary,planar stripe, DMOS technology. -0.67A, -200V, RDS(on) = 2.7 @VGS = 10 VThis advanced technology has been especially tailored to Low gate charge ( typical 6.0 nC)minimize on-state resis

7.1. Size:650K fairchild semi
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7.2. Size:870K onsemi
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FQT3P20P-Channel QFET MOSFET-200 V, -0.67 A, 2.7 Features -0.67 A, -200 V, RDS(on) = 2.7 (Max.) @VGS = 10 V,DescriptionID = 0.335 AThis P-Channel enhancement mode power MOSFET is Low Gate Charge ( Typ. 6.0 nC)produced using ON Semiconductors proprietary Low Crss ( Typ. 7.5 pF)planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has bee

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: