IRFZ40FI MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFZ40FI
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 50 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 630 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
Paquete / Cubierta: ISOWATT220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFZ40FI
IRFZ40FI Datasheet (PDF)
irfz40fi.pdf
IRFZ40IRFZ40FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORSTYPE VDSS RDS(on) IDIRFZ40 50 V
irfz40.pdf
IRFZ40IRFZ40FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORSTYPE VDSS RDS(on) IDIRFZ40 50 V
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IRFZ40IRFZ40FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORSTYPE VDSS RDS(on) IDIRFZ40 50 V
irfz40pbf sihfz40.pdf
IRFZ40, SiHFZ40Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60 175 C Operating TemperatureRDS(on) ()VGS = 10 V 0.028 Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 67 Ease of ParallelingQgs (nC) 18Qgd (nC) 25 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDDESCRIPTIONThird generatio
irfz40 sihfz40.pdf
IRFZ40, SiHFZ40Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 60 175 C Operating TemperatureRDS(on) ()VGS = 10 V 0.028 Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 67 Ease of ParallelingQgs (nC) 18Qgd (nC) 25 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDDESCRIPTIONThird generatio
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Liste
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