IRFZ40FI datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRFZ40FI  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 27 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 110 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: ISOWATT220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRFZ40FI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFZ40FI даташит

 ..1. Size:181K  1
irfz40fi.pdfpdf_icon

IRFZ40FI

IRFZ40 IRFZ40FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS TYPE VDSS RDS(on) ID IRFZ40 50 V

 8.1. Size:181K  international rectifier
irfz40.pdfpdf_icon

IRFZ40FI

IRFZ40 IRFZ40FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS TYPE VDSS RDS(on) ID IRFZ40 50 V

 8.2. Size:351K  st
irfz40 irfz42.pdfpdf_icon

IRFZ40FI

 8.3. Size:181K  st
irfz40.pdfpdf_icon

IRFZ40FI

IRFZ40 IRFZ40FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS TYPE VDSS RDS(on) ID IRFZ40 50 V

Другие IGBT... IRFZ34, IRFZ34A, IRFZ34E, IRFZ34N, IRFZ34NL, IRFZ34NS, IRFZ35, IRFZ40, AO4407, IRFZ42, IRFZ44, IRFZ44A, IRFZ44E, IRFZ44EL, IRFZ44ES, IRFZ44N, IRFZ44NL