FQU7P20TU Todos los transistores

 

FQU7P20TU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FQU7P20TU
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 110 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.69 Ohm
   Paquete / Cubierta: I-PAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

FQU7P20TU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:731K  fairchild semi
 fqd7p20tf fqd7p20tm fqd7p20 fqu7p20 fqu7p20tu.pdf pdf_icon

FQU7P20TU

April 2000TMQFETQFETQFETQFETFQD7P20 / FQU7P20200V P-ChanneI MOSFETGeneraI Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -5.7A, -200V, RDS(on) = 0.69 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 19 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 25 pF)This advanced technolo

 9.1. Size:707K  fairchild semi
 fqd7p06tf fqd7p06tm fqd7p06 fqu7p06 fqu7p06tu.pdf pdf_icon

FQU7P20TU

May 2001TMQFETFQD7P06 / FQU7P0660V P-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -5.4A, -60V, RDS(on) = 0.45 @VGS = -10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 6.3 nC)planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 25 pF)This advanced technology has been especially

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: 2SK1382 | SPP80P06PH | IRFPC42R | SIHF9540S | HGS120N10AL | HITJ0203MP | WMO26N60F2

 

 
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