FQU9N25TU Todos los transistores

 

FQU9N25TU MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQU9N25TU

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 55 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 250 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 7.4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 5 V

Carga de compuerta (Qg): 15.5 nC

Tiempo de elevación (tr): 105 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 110 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.42 Ohm

Empaquetado / Estuche: I-PAK

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FQU9N25TU Datasheet (PDF)

1.1. fqu9n25tu.pdf Size:562K _fairchild_semi

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May 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQD9N25 / FQU9N25 250V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect • 7.4A, 250V, RDS(on) = 0.42Ω @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild’s proprietary, • Low gate charge ( typical 15.5 nC) planar stripe, DMOS technology. • Low Crss ( typical 15 pF) This advanced technology

3.1. fqd9n25 fqu9n25.pdf Size:562K _fairchild_semi

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May 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQD9N25 / FQU9N25 250V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 7.4A, 250V, RDS(on) = 0.42? @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 15.5 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 15 pF) This advanced technology has been espe

 

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