FQU9N25TU Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FQU9N25TU  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.42 Ohm

Encapsulados: I-PAK

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FQU9N25TU datasheet

 ..1. Size:562K  fairchild semi
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FQU9N25TU

May 2000 TM QFET QFET QFET QFET FQD9N25 / FQU9N25 250V N-ChanneI MOSFET GeneraI Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 7.4A, 250V, RDS(on) = 0.42 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 15.5 nC) planar stripe, DMOS technology. Low Crss ( typical 15 pF) This advanced technology

 7.1. Size:905K  onsemi
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FQU9N25TU

FQD9N25 / FQU9N25 N-Channel QFET MOSFET 250 V, .4 A, Features 7.4 A, 250 V, RDS(on) = 420 m (Max.) @VGS = 10 V, ID = 3.7 A Description Low Gate Charge (Typ. 15.5 nC) This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using ON Semiconductor s proprietary Low Crss (Typ. 15 pF) planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has

Otros transistores... FQU5P20TU, FQU6N40CTU, FQU6P25TU, FQU7N10LTU, FQU7P06TU, FQU7P20TU, FQU8N25TU, FQU8P10TU, IRF3710, IRF6216PBF, IRF6216PBF-1, IRF6217PBF, IRF6217PBF-1, IRF6218L, IRF6218PBF, IRF6218SPBF, IRF624PBF