IRF630SPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRF630SPBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 74 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 43 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF630SPBF

IRF630SPBF Datasheet (PDF)

..1. Size:981K international rectifier
irf630spbf.pdf

PD - 95118IRF630SPbF Lead-Free3/17/04Document Number: 91032 www.vishay.com1IRF630SPbFDocument Number: 91032 www.vishay.com2IRF630SPbFDocument Number: 91032 www.vishay.com3IRF630SPbFDocument Number: 91032 www.vishay.com4IRF630SPbFDocument Number: 91032 www.vishay.com5IRF630SPbFDocument Number: 91032 www.vishay.com6IRF630SPbFD2Pak Package Outli

..2. Size:196K vishay
irf630spbf sihf630s.pdf

IRF630S, SiHF630SVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 200DefinitionRDS(on) ()VGS = 10 V 0.40 Surface MountQg (Max.) (nC) 43 Available in Tape and ReelQgs (nC) 7.0 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 23 Repetitive Avalanche RatedConfiguration Single Fast Switching Ease of Paralleli

7.1. Size:85K st
irf630s.pdf

IRF630S N - CHANNEL 200V - 0.35 - 9A- D2PAKMESH OVERLAY MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDIRF630S 200 V

7.2. Size:170K vishay
irf630s sihf630s.pdf

7.3. Size:1779K kexin
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SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETIRF630S (KRF630S) Features VDS (V) = 200V ID = 9 A (VGS = 10V) RDS(ON) 400m (VGS = 10V) Fast switching Low thermal resistancedgs Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 200V Drain-Gate Voltage VDG 200 Gate-Source Voltage VGS 20 Ta = 25 9 Cont

7.4. Size:1808K cn vbsemi
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IRF630Swww.VBsemi.twPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 200DefinitionRDS(on) ()VGS = 10 V 0.30 Surface MountQg (Max.) (nC) 43 Available in Tape and ReelQgs (nC) 7.0 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 23 Repetitive Avalanche RatedConfiguration Single Fast Switching Ease of Paralleling Simpl

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Liste

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