IRF6725MPBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF6725MPBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 960 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0022 Ohm
Encapsulados: DIRECTFET
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IRF6725MPBF datasheet
irf6725mpbf.pdf
PD - 96120A IRF6725MPbF IRF6725MTRPbF DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) l RoHS Compliant and Halogen Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (
irf6723m2d.pdf
PD - 97441 IRF6723M2DTRPbF IRF6723M2DTR1PbF Applications l Dual Common Drain Control MOSFETs for DirectFET Power MOSFET Multiphase DC-DC Converters Typical values (unless otherwise specified) Features VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Replaces Two Discrete MOSFETs 30V max 20V max 5.2m @ 10V 8.6m @ 4.5V l Optimized for High Frequency Switching l Low Profile (
irf6722mpbf irf6722mtrpbf.pdf
PD - 96136 IRF6722MPbF IRF6722MTRPbF DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) l RoHS Compliant Containing No Lead and Bromide VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (
irf6722spbf.pdf
PD - 96137 IRF6722SPbF IRF6722STRPbF DirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified) l RoHS Compliant Containing No Lead and Bromide VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (
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History: BUK7908-40AIE | WMO048NV6LG4 | WMO119N12LG4 | AM3400A | WMO030N06HG4 | NVMFD030N06C | WMO175N10LG4
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Liste
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