IRF6725MPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRF6725MPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 960 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0022 Ohm
Тип корпуса: DIRECTFET
Аналог (замена) для IRF6725MPBF
IRF6725MPBF Datasheet (PDF)
irf6725mpbf.pdf
PD - 96120AIRF6725MPbFIRF6725MTRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHS Compliant and Halogen Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (
irf6723m2d.pdf
PD - 97441IRF6723M2DTRPbFIRF6723M2DTR1PbFApplicationsl Dual Common Drain Control MOSFETs forDirectFET Power MOSFET Multiphase DC-DC Converters Typical values (unless otherwise specified)FeaturesVDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Replaces Two Discrete MOSFETs30V max 20V max 5.2m@ 10V 8.6m@ 4.5Vl Optimized for High Frequency Switchingl Low Profile (
irf6722spbf.pdf
PD - 96137IRF6722SPbFIRF6722STRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHS Compliant Containing No Lead and Bromide VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (
irf6721s.pdf
PD - 96133AIRF6721SPbFIRF6721STRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHS Compliant and Halogen Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (
irf6720s2trpbf.pdf
PD - 97315BIRF6720S2TRPbFIRF6720S2TR1PbFDirectFET Power MOSFET l RoHS Compliant and Halogen Free Typical values (unless otherwise specified)l Low Profile (
irf6724mpbf.pdf
PD -97131AIRF6724MPbFIRF6724MTRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHs Compliant and Halogen Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (
irf6728mpbf.pdf
PD - 97568IRF6728MPbFIRF6728MTRPbFHEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode Typical values (unless otherwise specified)l RoHS Compliant Containing No Lead and Halogen Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Integrated Monolithic Schottky Diode30V max 20V max 1.8m@ 10V 2.8m@ 4.5Vl Low Profile (
irf6726mpbf.pdf
PD - 96121IRF6726MPbFIRF6726MTRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHS Compliant Containing No Lead and Bromide VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (
irf6729mpbf.pdf
PD - 96229IRF6729MPbFIRF6729MTRPbFHEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode Typical values (unless otherwise specified)l RoHs Compliant and Halogen-Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Integrated Monolithic Schottky Diode30V max 20V max 1.4m@ 10V 2.2m@ 4.5Vl Low Profile (
irf6727mpbf.pdf
PD - 96122AIRF6727MPbFIRF6727MTRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHS Compliant and Halogen Free VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (
irf6722mpbf irf6722mtrpbf.pdf
PD - 96136IRF6722MPbFIRF6722MTRPbFDirectFET Power MOSFET Typical values (unless otherwise specified)l RoHS Compliant Containing No Lead and Bromide VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
History: SIHFZ20
History: SIHFZ20
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918