IRF6892S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRF6892S

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 850 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm

Encapsulados: DIRECTFET

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IRF6892S datasheet

 ..1. Size:233K  international rectifier
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IRF6892S

PD - 97770 IRF6892STRPbF IRF6892STR1PbF DirectFET plus MOSFET with Schottky Diode l RoHS Compliant and Halogen Free Typical values (unless otherwise specified) l Low Profile (

 8.1. Size:243K  international rectifier
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IRF6892S

IRF6898MPbF IRF6898MTRPbF HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode Typical values (unless otherwise specified) l RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Integrated Monolithic Schottky Diode l Low Profile (

 8.2. Size:248K  international rectifier
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IRF6892S

PD - 97633A IRF6894MPbF IRF6894MTRPbF DirectFET plus MOSFET with Schottky Diode l RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide Typical values (unless otherwise specified) l Integrated Monolithic Schottky Diode VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

 8.3. Size:215K  international rectifier
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IRF6892S

PD - 97761 IRF6893MPbF IRF6893MTRPbF DirectFET plus MOSFET with Schottky Diode l RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide Typical values (unless otherwise specified) l Integrated Monolithic Schottky Diode VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

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