IRF6892S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF6892S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 850 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm
Paquete / Cubierta: DIRECTFET
Búsqueda de reemplazo de IRF6892S MOSFET
IRF6892S Datasheet (PDF)
irf6892s.pdf

PD - 97770IRF6892STRPbFIRF6892STR1PbFDirectFETplus MOSFET with Schottky Diode l RoHS Compliant and Halogen Free Typical values (unless otherwise specified)l Low Profile (
irf6898mpbf.pdf

IRF6898MPbFIRF6898MTRPbF HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode Typical values (unless otherwise specified)l RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Integrated Monolithic Schottky Diodel Low Profile (
irf6894mpbf.pdf

PD - 97633AIRF6894MPbFIRF6894MTRPbFDirectFETplus MOSFET with Schottky Diode l RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide Typical values (unless otherwise specified)l Integrated Monolithic Schottky DiodeVDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (
irf6893m.pdf

PD - 97761IRF6893MPbFIRF6893MTRPbFDirectFETplus MOSFET with Schottky Diode l RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide Typical values (unless otherwise specified)l Integrated Monolithic Schottky DiodeVDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (
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History: AOCA32112E | FQA13N80-F109 | HFU630
History: AOCA32112E | FQA13N80-F109 | HFU630



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