IRF6892S Todos los transistores

 

IRF6892S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF6892S
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 28 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 850 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm
   Paquete / Cubierta: DIRECTFET
 

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IRF6892S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:233K  international rectifier
 irf6892s.pdf pdf_icon

IRF6892S

PD - 97770IRF6892STRPbFIRF6892STR1PbFDirectFETplus MOSFET with Schottky Diode l RoHS Compliant and Halogen Free Typical values (unless otherwise specified)l Low Profile (

 8.1. Size:243K  international rectifier
 irf6898mpbf.pdf pdf_icon

IRF6892S

IRF6898MPbFIRF6898MTRPbF HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode Typical values (unless otherwise specified)l RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Integrated Monolithic Schottky Diodel Low Profile (

 8.2. Size:248K  international rectifier
 irf6894mpbf.pdf pdf_icon

IRF6892S

PD - 97633AIRF6894MPbFIRF6894MTRPbFDirectFETplus MOSFET with Schottky Diode l RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide Typical values (unless otherwise specified)l Integrated Monolithic Schottky DiodeVDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

 8.3. Size:215K  international rectifier
 irf6893m.pdf pdf_icon

IRF6892S

PD - 97761IRF6893MPbFIRF6893MTRPbFDirectFETplus MOSFET with Schottky Diode l RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide Typical values (unless otherwise specified)l Integrated Monolithic Schottky DiodeVDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (

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History: PSMN4R5-30YLC | GT045N10D5 | BUK6228-55C | NCEP25N10AD | AP4539GM-HF | CTM07N60 | TT8U1

 

 
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