IRF6893M MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF6893M
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.1 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 29 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 83 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1140 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0016 Ohm
Paquete / Cubierta: DIRECTFET
Búsqueda de reemplazo de IRF6893M MOSFET
IRF6893M Datasheet (PDF)
irf6893m.pdf

PD - 97761IRF6893MPbFIRF6893MTRPbFDirectFETplus MOSFET with Schottky Diode l RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide Typical values (unless otherwise specified)l Integrated Monolithic Schottky DiodeVDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (
irf6893mpbf irf6893mtrpbf.pdf

PD - 97761IRF6893MPbFIRF6893MTRPbFDirectFETplus MOSFET with Schottky Diode l RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide Typical values (unless otherwise specified)l Integrated Monolithic Schottky DiodeVDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (
irf6898mpbf.pdf

IRF6898MPbFIRF6898MTRPbF HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode Typical values (unless otherwise specified)l RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide VDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Integrated Monolithic Schottky Diodel Low Profile (
irf6894mpbf.pdf

PD - 97633AIRF6894MPbFIRF6894MTRPbFDirectFETplus MOSFET with Schottky Diode l RoHs Compliant Containing No Lead and Bromide Typical values (unless otherwise specified)l Integrated Monolithic Schottky DiodeVDSS VGS RDS(on) RDS(on) l Low Profile (
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History: TMD8N60H | MSU1N60F



Liste
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