IRF7205PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRF7205PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 27 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 720 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRF7205PBF

IRF7205PBF Datasheet (PDF)

..1. Size:277K international rectifier
irf7205pbf.pdf

IRF7205PbF l Adavanced Process Technologyl Ultra Low On-Resistance A1 8S Dl P-Channel MOSFET 2 7S Dl Surface Mountl Available in Tape & Reel 3 6S D l Dynamic dv/dt Rating45G Dl Fast Switching l Lead-FreeTop ViewDescription

..2. Size:277K infineon
irf7205pbf.pdf

0.1. Size:273K international rectifier
irf7205pbf-1.pdf

IRF7205PbF-1HEXFET Power MOSFETAVDS -30 V1 8S DRDS(on) max 2 70.07 S D(@V = -10V)GS3 6RDS(on) max S D0.13 (@V = -4.5V)GS45G DQg (typical) 27 nCSO-8ID Top View-4.6 A(@T = 25C)AFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier Manufacturi

7.1. Size:166K international rectifier
irf7205.pdf

PD - 9.1104BIRF7205HEXFET Power MOSFET Adavanced Process TechnologyA1 8S D Ultra Low On-ResistanceVDSS = -30V2 7 P-Channel MOSFETS D Surface Mount3 6S DRDS(on) = 0.070 Available in Tape & Reel4 5G D Dynamic dv/dt RatingID = -4.6A Fast SwitchingT op ViewDescriptionFourth Generation HEXFETs from InternationalRectifier utilize advanced process

7.2. Size:1894K kexin
irf7205.pdf

SMD Type MOSFETP-Channel MOSFETIRF7205 (KRF7205)SOP-8 Features VDS (V) =-30V ID =-4.6 A (VGS =-10V)1.50 0.15 RDS(ON) 70m (VGS =-10V) RDS(ON) 130m (VGS =-4.5V)1 Source 5 Drain Fast Switching6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 GateA1 8S D2 7S D3 6S D4 5G D Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter

7.3. Size:806K cn vbsemi
irf7205tr.pdf

IRF7205TRwww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.042 at VGS = - 10 V - 5.8 TrenchFET Power MOSFET0.055 at VGS = - 6 V - 30 - 5.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.060 at VGS = - 4.5 V - 4.4SSO-8GSD1 8S D2 73 6SDG D4 5DTop

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Liste

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