2SJ209 Todos los transistores

 

2SJ209 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SJ209

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 16 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 60 Ohm

Encapsulados: SC59

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2SJ209 datasheet

 ..1. Size:422K  nec
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2SJ209

 ..2. Size:1232K  kexin
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2SJ209

SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET 2SJ209 SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features VDS (V) =-100V 1 2 ID =-0.1 A +0.1 +0.05 0.95-0.1 0.1-0.01 +0.1 1.9-0.1 RDS(ON) 60 (VGS =-10V) RDS(ON) 100 (VGS =-4V) 1. Gate 2. Source 3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS

 0.1. Size:1244K  kexin
2sj209-3.pdf pdf_icon

2SJ209

SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET 2SJ209 SOT-23-3 Unit mm +0.2 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features VDS (V) =-100V ID =-0.1 A 1 2 +0.02 RDS(ON) 60 (VGS =-10V) +0.1 0.15 -0.02 0.95-0.1 +0.1 1.9-0.2 RDS(ON) 100 (VGS =-4V) 1. Gate 2. Source 3. Drain Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage

 9.1. Size:245K  toshiba
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2SJ209

2SJ200 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type 2SJ200 High Power Amplifier Application Unit mm High breakdown voltage VDSS = -180 V High forward transfer admittance Y = 4.0 S (typ.) fs Complementary to 2SK1529 Maximum Ratings (Ta = 25 C) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-source voltage VDSS -180 V Gate-source voltage VGSS 20 V Dr

Otros transistores... 2SJ199 , 2SJ202 , 2SJ203 , 2SJ204 , 2SJ205 , 2SJ206 , 2SJ207 , 2SJ208 , SPP20N60C3 , 2SJ210 , 2SJ211 , 2SJ212 , 2SJ218 , 2SJ243 , 2SJ302 , 2SJ303 , 2SJ324 .

 

 

 


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