IRF7342PBF-1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRF7342PBF-1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm
Paquete / Cubierta: SO-8
Búsqueda de reemplazo de IRF7342PBF-1 MOSFET
IRF7342PBF-1 Datasheet (PDF)
irf7342pbf-1.pdf

IRF7342TRPbF-1HEXFET Power MOSFETVDS -55 V1 8S1 D1RDS(on) max 0.105 2 7G1 D1(@V = -10V)GS3Qg (typical) 26 nC 6S2 D2ID 4 5-3.4 A G2 D2(@T = 25C)ASO-8Top ViewFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier ManufacturingRoHS Compliant, Halogen-Free En
irf7342pbf.pdf

PD - 95200IRF7342PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V Technologyl Ultra Low On-Resistance1 8l Dual P-Channel Mosfet S1 D1VDSS = -55Vl Surface Mount 2 7G1 D1l Available in Tape & Reel3 6S2 D2l Dynamic dv/dt Rating4 5G2 D2l Fast SwitchingRDS(on) = 0.105l Lead-FreeTop ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanc
auirf7342q.pdf

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irf7342.pdf

PD -91859IRF7342HEXFET Power MOSFET Generation V Technology1 8S1 D1 Ultra Low On-ResistanceVDSS = -55V2 7 Dual P-Channel MosfetG1 D1 Surface Mount3 6S2 D2 Available in Tape & Reel4 5G2 D2 Dynamic dv/dt RatingRDS(on) = 0.105 Fast SwitchingTop ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniqu
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History: SSM9918GH | SNN3100L10Q | NCEP040N85G | NP20P06SLG | WST3406A | JFPC2N80C
History: SSM9918GH | SNN3100L10Q | NCEP040N85G | NP20P06SLG | WST3406A | JFPC2N80C



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