Справочник MOSFET. IRF7342PBF-1

 

IRF7342PBF-1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF7342PBF-1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для IRF7342PBF-1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7342PBF-1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:178K  international rectifier
irf7342pbf-1.pdfpdf_icon

IRF7342PBF-1

IRF7342TRPbF-1HEXFET Power MOSFETVDS -55 V1 8S1 D1RDS(on) max 0.105 2 7G1 D1(@V = -10V)GS3Qg (typical) 26 nC 6S2 D2ID 4 5-3.4 A G2 D2(@T = 25C)ASO-8Top ViewFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier ManufacturingRoHS Compliant, Halogen-Free En

 4.1. Size:158K  international rectifier
irf7342pbf.pdfpdf_icon

IRF7342PBF-1

PD - 95200IRF7342PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V Technologyl Ultra Low On-Resistance1 8l Dual P-Channel Mosfet S1 D1VDSS = -55Vl Surface Mount 2 7G1 D1l Available in Tape & Reel3 6S2 D2l Dynamic dv/dt Rating4 5G2 D2l Fast SwitchingRDS(on) = 0.105l Lead-FreeTop ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanc

 7.1. Size:172K  1
auirf7342q.pdfpdf_icon

IRF7342PBF-1

PD - 97640AUTOMOTIVE GRADEAUIRF7342Q Advanced Planar Technology Low On-Resistance HEXFET Power MOSFET Dual P-Channel MOSFET Dynamic dV/dT Rating 1 8S1 D1V(BR)DSS-55V 150C Operating Temperature 2 7G1 D1 Fast Switching 3 6S2 D2RDS(on) max.0.105 Fully Avalanche Rated 4 5G2 D2 Lead-Free, RoHS CompliantID-3.4ATop View Autom

 7.2. Size:136K  international rectifier
irf7342.pdfpdf_icon

IRF7342PBF-1

PD -91859IRF7342HEXFET Power MOSFET Generation V Technology1 8S1 D1 Ultra Low On-ResistanceVDSS = -55V2 7 Dual P-Channel MosfetG1 D1 Surface Mount3 6S2 D2 Available in Tape & Reel4 5G2 D2 Dynamic dv/dt RatingRDS(on) = 0.105 Fast SwitchingTop ViewDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniqu

Другие MOSFET... IRF7322D1PBF , IRF7324D1PBF , IRF7324PBF-1 , IRF7326D2PBF , IRF7331PBF-1 , IRF7341G , IRF7341IPBF , IRF7342D2PBF , IRFB4110 , IRF7342QPBF , IRF7343IPBF , IRF7343QPBF , IRF734PBF , IRF7351PBF , SD10425 , SD200DC , SD201DC .

History: SIR890DP | SFF7N60 | APT10025JLC | HM4443 | 2SJ511 | MSAFR30N20A

 

 
Back to Top

 


 
.