IRF7342PBF-1. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRF7342PBF-1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для IRF7342PBF-1
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRF7342PBF-1 даташит
irf7342pbf-1.pdf
IRF7342TRPbF-1 HEXFET Power MOSFET VDS -55 V 1 8 S1 D1 RDS(on) max 0.105 2 7 G1 D1 (@V = -10V) GS 3 Qg (typical) 26 nC 6 S2 D2 ID 4 5 -3.4 A G2 D2 (@T = 25 C) A SO-8 Top View Features Benefits Industry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor Compatibility Compatible with Existing Surface Mount Techniques Easier Manufacturing RoHS Compliant, Halogen-Free En
irf7342pbf.pdf
PD - 95200 IRF7342PbF HEXFET Power MOSFET l Generation V Technology l Ultra Low On-Resistance 1 8 l Dual P-Channel Mosfet S1 D1 VDSS = -55V l Surface Mount 2 7 G1 D1 l Available in Tape & Reel 3 6 S2 D2 l Dynamic dv/dt Rating 4 5 G2 D2 l Fast Switching RDS(on) = 0.105 l Lead-Free Top View Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanc
auirf7342q.pdf
PD - 97640 AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7342Q Advanced Planar Technology Low On-Resistance HEXFET Power MOSFET Dual P-Channel MOSFET Dynamic dV/dT Rating 1 8 S1 D1 V(BR)DSS -55V 150 C Operating Temperature 2 7 G1 D1 Fast Switching 3 6 S2 D2 RDS(on) max. 0.105 Fully Avalanche Rated 4 5 G2 D2 Lead-Free, RoHS Compliant ID -3.4A Top View Autom
irf7342.pdf
PD -91859 IRF7342 HEXFET Power MOSFET Generation V Technology 1 8 S1 D1 Ultra Low On-Resistance VDSS = -55V 2 7 Dual P-Channel Mosfet G1 D1 Surface Mount 3 6 S2 D2 Available in Tape & Reel 4 5 G2 D2 Dynamic dv/dt Rating RDS(on) = 0.105 Fast Switching Top View Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniqu
Другие MOSFET... IRF7322D1PBF , IRF7324D1PBF , IRF7324PBF-1 , IRF7326D2PBF , IRF7331PBF-1 , IRF7341G , IRF7341IPBF , IRF7342D2PBF , AON6414A , IRF7342QPBF , IRF7343IPBF , IRF7343QPBF , IRF734PBF , IRF7351PBF , SD10425 , SD200DC , SD201DC .
History: SWD051R08ES | AP9970GW | IXFT50N85XHV
History: SWD051R08ES | AP9970GW | IXFT50N85XHV
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2n3643 | 2sc2078 transistor equivalent | 2sc2073 | a608 transistor | c536 transistor | 2n706 | 2n388 | 2n3645










