IRF7343QPBF Todos los transistores

 

IRF7343QPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRF7343QPBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 26 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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IRF7343QPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:238K  international rectifier
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IRF7343QPBF

PD - 96110IRF7343QPBFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyN-CHANNEL MOSFETN-Ch P-Ch1l Ultra Low On-Resistance 8S1 D1l Dual N and P Channel MOSFET2 7G1 D1l Surface MountVDSS 55V -55V3 6l Available in Tape & Reel S2 D2l 150C Operating Temperature45G2 D2l Automotive [Q101] QualifiedP-CHANNEL MOSFETRDS(on) 0.050 0.105l Lead-FreeTo

 6.1. Size:225K  1
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IRF7343QPBF

PD - 96343BAUTOMOTIVE MOSFETAUIRF7343QHEXFET Power MOSFETFeaturesl Advanced Planar TechnologyN-Ch P-ChN-CHANNEL MOSFET1 8l Ultra Low On-ResistanceS1 D1l Dual N and P Channel MOSFETV(BR)DSS55V -55V2 7G1 D1l Surface Mount3 6l Available in Tape & ReelS2 D2RDS(on) typ.0.043 0.095l 150C Operating Temperature45G2 D2l Automotive [Q101] Qualif

 6.2. Size:323K  infineon
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IRF7343QPBF

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7343Q Features N-CHANNEL MOSFET N-CH P-CH Advanced Planar Technology 1 8S1 D1VDSS 55V -55V Ultra Low On-Resistance 2 7G1 D1 Logic Level Gate Drive RDS(on) typ. 0.043 0.0953 6S2 D2 Dual N and P Channel MOSFET max. 0.050 0.10545G2 D2 Surface Mount P-CHANNEL MOSFETID 4.7A -3.4A Availabl

 6.3. Size:3361K  cn vbsemi
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IRF7343QPBF

IRF7343QTRwww.VBsemi.twN- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.028 at VGS = 10 V 5.3 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 60 6 nC0.031 at VGS = 4.5 V 4.7 100 % Rg and UIS Tested0.050 at VGS = - 10 V - 4.9APPLICATIONSP-Channel - 60 8 nC0.060 at VG

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