Справочник MOSFET. IRF7343QPBF

 

IRF7343QPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF7343QPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для IRF7343QPBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7343QPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:238K  international rectifier
irf7343qpbf.pdfpdf_icon

IRF7343QPBF

PD - 96110IRF7343QPBFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyN-CHANNEL MOSFETN-Ch P-Ch1l Ultra Low On-Resistance 8S1 D1l Dual N and P Channel MOSFET2 7G1 D1l Surface MountVDSS 55V -55V3 6l Available in Tape & Reel S2 D2l 150C Operating Temperature45G2 D2l Automotive [Q101] QualifiedP-CHANNEL MOSFETRDS(on) 0.050 0.105l Lead-FreeTo

 6.1. Size:225K  1
auirf7343q.pdfpdf_icon

IRF7343QPBF

PD - 96343BAUTOMOTIVE MOSFETAUIRF7343QHEXFET Power MOSFETFeaturesl Advanced Planar TechnologyN-Ch P-ChN-CHANNEL MOSFET1 8l Ultra Low On-ResistanceS1 D1l Dual N and P Channel MOSFETV(BR)DSS55V -55V2 7G1 D1l Surface Mount3 6l Available in Tape & ReelS2 D2RDS(on) typ.0.043 0.095l 150C Operating Temperature45G2 D2l Automotive [Q101] Qualif

 6.2. Size:323K  infineon
auirf7343q.pdfpdf_icon

IRF7343QPBF

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF7343Q Features N-CHANNEL MOSFET N-CH P-CH Advanced Planar Technology 1 8S1 D1VDSS 55V -55V Ultra Low On-Resistance 2 7G1 D1 Logic Level Gate Drive RDS(on) typ. 0.043 0.0953 6S2 D2 Dual N and P Channel MOSFET max. 0.050 0.10545G2 D2 Surface Mount P-CHANNEL MOSFETID 4.7A -3.4A Availabl

 6.3. Size:3361K  cn vbsemi
irf7343qtr.pdfpdf_icon

IRF7343QPBF

IRF7343QTRwww.VBsemi.twN- and P-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.028 at VGS = 10 V 5.3 TrenchFET Power MOSFETN-Channel 60 6 nC0.031 at VGS = 4.5 V 4.7 100 % Rg and UIS Tested0.050 at VGS = - 10 V - 4.9APPLICATIONSP-Channel - 60 8 nC0.060 at VG

Другие MOSFET... IRF7326D2PBF , IRF7331PBF-1 , IRF7341G , IRF7341IPBF , IRF7342D2PBF , IRF7342PBF-1 , IRF7342QPBF , IRF7343IPBF , IRFB4115 , IRF734PBF , IRF7351PBF , SD10425 , SD200DC , SD201DC , SD202DC , SD203DC , SD210 .

History: IRL7833L | SIS468DN | SIR638DP | DH019N04I | SRT15N075HS2 | TK8S06K3L

 

 
Back to Top

 


 
.