SEFM350 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SEFM350
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 190 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 660 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.315 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-254AA
Búsqueda de reemplazo de SEFM350 MOSFET
SEFM350 Datasheet (PDF)
sefm350.pdf

SEMITRONICS CORP. SEFM350 64 Commercial Street, Freeport, N.Y. 11520 N-Channel MOSFET Phone: (516) 623-9400 Fax. (516) 623-6954 FEATURES PACKAGE Isolated Case Hermetically Sealed Package Repetitive Avalanche Rating Dynamic dv/dt Rating Ceramic Eyelets MIL STX Screening Available APPLICATIONS High Reliability Power Supplies CASE
Otros transistores... SDF75NA20 , SDF9130 , SDF9N100 , SDP10N60 , SEF401002 , SEF40604 , SEFM150 , SEFM250 , 7N60 , SEFM460 , SEFN450 , SEFN9140 , SEFY140C , SEFY340CSTX , SEFY9130C , SES744 , SES759 .
History: NCE60P04SN | NCE70T540F | 2SK1937 | JCS7HN60F | 2SK2552 | HF20N60 | SIA517
History: NCE60P04SN | NCE70T540F | 2SK1937 | JCS7HN60F | 2SK2552 | HF20N60 | SIA517



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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