SEFM350 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SEFM350
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 190 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 660 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.315 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-254AA
Búsqueda de reemplazo de SEFM350 MOSFET
SEFM350 Datasheet (PDF)
sefm350.pdf

SEMITRONICS CORP. SEFM350 64 Commercial Street, Freeport, N.Y. 11520 N-Channel MOSFET Phone: (516) 623-9400 Fax. (516) 623-6954 FEATURES PACKAGE Isolated Case Hermetically Sealed Package Repetitive Avalanche Rating Dynamic dv/dt Rating Ceramic Eyelets MIL STX Screening Available APPLICATIONS High Reliability Power Supplies CASE
Otros transistores... SDF75NA20 , SDF9130 , SDF9N100 , SDP10N60 , SEF401002 , SEF40604 , SEFM150 , SEFM250 , 4N60 , SEFM460 , SEFN450 , SEFN9140 , SEFY140C , SEFY340CSTX , SEFY9130C , SES744 , SES759 .
History: AOCA24106E | FA57SA50LCP | SM2202NSQG
History: AOCA24106E | FA57SA50LCP | SM2202NSQG



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
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