SEFM350 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SEFM350
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 660 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.315 Ohm
Тип корпуса: TO-254AA
Аналог (замена) для SEFM350
SEFM350 Datasheet (PDF)
sefm350.pdf
SEMITRONICS CORP. SEFM350 64 Commercial Street, Freeport, N.Y. 11520 N-Channel MOSFET Phone: (516) 623-9400 Fax. (516) 623-6954 FEATURES PACKAGE Isolated Case Hermetically Sealed Package Repetitive Avalanche Rating Dynamic dv/dt Rating Ceramic Eyelets MIL STX Screening Available APPLICATIONS High Reliability Power Supplies CASE
Другие MOSFET... SDF75NA20 , SDF9130 , SDF9N100 , SDP10N60 , SEF401002 , SEF40604 , SEFM150 , SEFM250 , AO3407 , SEFM460 , SEFN450 , SEFN9140 , SEFY140C , SEFY340CSTX , SEFY9130C , SES744 , SES759 .
History: SI4058DY
History: SI4058DY
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G | AGM612S | AGM612MNA | AGM612MN | AGM612MBQ | AGM612MBP | AGM612D | AGM612AP
Popular searches
d669a transistor | 2sc1419 | 2sc1124 | 2n408 | 2sc2690 | d718 datasheet | mp38 transistor | 2sc2389


