Справочник MOSFET. SEFM350

 

SEFM350 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SEFM350
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 660 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.315 Ohm
   Тип корпуса: TO-254AA
 

 Аналог (замена) для SEFM350

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SEFM350 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:326K  semitronics
 sefm350.pdf pdf_icon

SEFM350

SEMITRONICS CORP. SEFM350 64 Commercial Street, Freeport, N.Y. 11520 N-Channel MOSFET Phone: (516) 623-9400 Fax. (516) 623-6954 FEATURES PACKAGE Isolated Case Hermetically Sealed Package Repetitive Avalanche Rating Dynamic dv/dt Rating Ceramic Eyelets MIL STX Screening Available APPLICATIONS High Reliability Power Supplies CASE

Другие MOSFET... SDF75NA20 , SDF9130 , SDF9N100 , SDP10N60 , SEF401002 , SEF40604 , SEFM150 , SEFM250 , 7N60 , SEFM460 , SEFN450 , SEFN9140 , SEFY140C , SEFY340CSTX , SEFY9130C , SES744 , SES759 .

History: BL20N65-P | PE614DX | PTA26N60 | CXDM1002N | AP9938GEM | SM6A22NSFP | H2302A

 

 
Back to Top

 


 
.