SES760 Todos los transistores

 

SES760 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SES760
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 86 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 208 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-257
 

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SES760 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:41K  semitronics
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SES760

SEMITRONICS CORP. SES760 64 Commercial Street, Freeport, N.Y. 11520 SMPS MOSFET Phone: (516) 623-9400 Fax. (516) 623-6954 FEATURES PACKAGE Isolated Case Hermetically Sealed Package Improved Gate, Avalanche and dynamic dv.dt Ruggedness Ease of Paralleling MIL STX Screening Available APPLICATIONS High Reliability Power Supplies CASE OU

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History: AFN10N65T220T | OSG80R1K4PF | 2SK2044 | FHA86N30A | SI4451DY | AOI2N60A | IXFX25N90

 

 
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