SF1116 Todos los transistores

 

SF1116 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SF1116
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 227 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 110 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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SF1116 Datasheet (PDF)

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SF1116

SSF1116 110V N-Channel MOSFET FEATURES ID =75A Advanced trench process technology BV=110V avalanche energy, 100% test Rdson=12m (Typ.) Fully characterized avalanche voltage and current DESCRIPTION The SSF1116 is a new generation of high voltage and low current NChannel enhancement mode trench power MOSFET. This new technology increases the device reliabi

 0.1. Size:874K  silikron
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SF1116

SSF1116A Feathers: ID =75A Advanced trench process technology BV=110V avalanche energy, 100% test Rdson=12m (Typ.) Fully characterized avalanche voltage and current Description: The SSF1116A is a new generation of high voltage and low current NChannel enhancement mode trench power MOSFET. This new technology increases the device reliability and electrical par

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SF1116

SSF1116 Feathers: ID =75A Advanced trench process technology BV=110V avalanche energy, 100% test Rdson=12m (Typ.) Fully characterized avalanche voltage and current Description: The SSF1116 is a new generation of high voltage and low current NChannel enhancement mode trench power MOSFET. This new technology increases the device reliability and electrical param

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History: SST202 | NCE85H21TC

 

 
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