SH8K26 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SH8K26
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET SH8K26
SH8K26 Datasheet (PDF)
sh8k26.pdf
SH8K26Datasheet40V Nch+Nch Middle MOSFETlOutlinel SOP8VDSS40VRDS(on)(Max.) 38m ID 6.0A PD2.0W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package .3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.lPackaging spe
sh8k22.pdf
4V Drive Nch+Nch MOSFET SH8K22 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET SOP8Features 1) Built-in G-S Protection Diode. 2) Small surface Mount Package (SOP8). Application Power switching, DC / DC converter, Inverter Each lead has same dimensionsPackaging specifications Inner circuit (8) (7) (6) (5) (8) (7) (6) (5)Package TapingType C
sh8k25.pdf
SH8K25Datasheet40V Nch+Nch Middle MOSFETlOutlinel SOP8VDSS40VRDS(on)(Max.) 85m ID 4A PD2W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package .3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.lPackaging specifi
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History: BF905
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