SH8K26 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SH8K26  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 105 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm

Encapsulados: SOP-8

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de SH8K26 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SH8K26 datasheet

 ..1. Size:2672K  rohm
 sh8k26.pdf pdf_icon

SH8K26

SH8K26 Datasheet 40V Nch+Nch Middle MOSFET lOutline l SOP8 VDSS 40V RDS(on)(Max.) 38m ID 6.0A PD 2.0W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance. 2) Small Surface Mount Package . 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. lPackaging spe

 9.1. Size:141K  rohm
 sh8k22.pdf pdf_icon

SH8K26

4V Drive Nch+Nch MOSFET SH8K22 Structure Dimensions (Unit mm) Silicon N-channel MOSFET SOP8 Features 1) Built-in G-S Protection Diode. 2) Small surface Mount Package (SOP8). Application Power switching, DC / DC converter, Inverter Each lead has same dimensions Packaging specifications Inner circuit (8) (7) (6) (5) (8) (7) (6) (5) Package Taping Type C

 9.2. Size:2648K  rohm
 sh8k25.pdf pdf_icon

SH8K26

SH8K25 Datasheet 40V Nch+Nch Middle MOSFET lOutline l SOP8 VDSS 40V RDS(on)(Max.) 85m ID 4A PD 2W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance. 2) Small Surface Mount Package . 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant. 4) Halogen Free. lPackaging specifi

Otros transistores... SH8J65, SH8K11, SH8K12, SH8K13, SH8K14, SH8K15, SH8K22, SH8K25, EMB04N03H, SH8K32, SH8M11, SH8M12, SH8M13, SH8M14, SH8M24, SH8M41, SHD217302A