SH8K26 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SH8K26
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.4 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 2.9 nC
   Tiempo de subida (tr): 15 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 105 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.038 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET SH8K26

SH8K26 Datasheet (PDF)

..1. Size:2672K rohm
sh8k26.pdf

SH8K26Datasheet40V Nch+Nch Middle MOSFETlOutlinel SOP8VDSS40VRDS(on)(Max.) 38m ID 6.0A PD2.0W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package .3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.lPackaging spe

9.1. Size:141K rohm
sh8k22.pdf

4V Drive Nch+Nch MOSFET SH8K22 Structure Dimensions (Unit : mm) Silicon N-channel MOSFET SOP8Features 1) Built-in G-S Protection Diode. 2) Small surface Mount Package (SOP8). Application Power switching, DC / DC converter, Inverter Each lead has same dimensionsPackaging specifications Inner circuit (8) (7) (6) (5) (8) (7) (6) (5)Package TapingType C

9.2. Size:2648K rohm
sh8k25.pdf

SH8K25Datasheet40V Nch+Nch Middle MOSFETlOutlinel SOP8VDSS40VRDS(on)(Max.) 85m ID 4A PD2W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package .3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant.4) Halogen Free.lPackaging specifi

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Liste

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